0 0 0
  7. SI4599DY-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI4599DY-T1-GE3

 
SI4599DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 952613
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40/-40В; 6,8/-5,8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.97 грн
43+
23.04 грн
50+
22.96 грн
118+
21.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2498 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
40/-40В(1643452)
Струм стока
6,8/-5,8А(1996976)
Опір в стані провідності
62/42,5мОм(1986167)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
3,1/3Вт(1986166)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
38/20нКл(1986168)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,163 g
 
Транзисторы многоканальные SI4599DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 952613
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40/-40В; 6,8/-5,8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.97 грн
43+
23.04 грн
50+
22.96 грн
118+
21.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2498 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
40/-40В
Струм стока
6,8/-5,8А
Опір в стані провідності
62/42,5мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
3,1/3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
38/20нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,163 g