0 0 0
  8. SI4800BDY-T1-E3

Транзистори з каналом N SMD SI4800BDY-T1-E3

 
SI4800BDY-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 077395
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
29.40 грн
25+
27.57 грн
46+
22.27 грн
124+
21.07 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 3027 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,5Вт(1449363)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,161 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI4800BDY-T1-E3
VISHAY
Артикул: 077395
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2,5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
29.40 грн
25+
27.57 грн
46+
22.27 грн
124+
21.07 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 3027 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
13нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,161 g