0 0 0
  7. SI4936CDY-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SI4936CDY-T1-GE3

 
SI4936CDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 441651
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,6А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
37.55 грн
25+
34.29 грн
37+
27.94 грн
100+
26.43 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1740 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
4,6А(1479139)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
1,5Вт(1487290)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9нКл(1609896)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,154 g
 
Транзистори багатоканальні SI4936CDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 441651
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,6А; Idm: 20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
37.55 грн
25+
34.29 грн
37+
27.94 грн
100+
26.43 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1740 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
4,6А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
1,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,154 g