0 0 0
  7. SI4963BDY-T1-E3

Транзистори багатоканальні SI4963BDY-T1-E3

 
SI4963BDY-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 853376
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -6,5А; 2Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
96.89 грн
10+
88.95 грн
16+
62.74 грн
43+
59.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-6,5А(1479046)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-40А(1810549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SI4963BDY-T1-E3
VISHAY
Артикул: 853376
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -6,5А; 2Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
96.89 грн
10+
88.95 грн
16+
62.74 грн
43+
59.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-6,5А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g