0 0 0
  8. SI5419DU-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI5419DU-T1-GE3

 
SI5419DU-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860509
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
44.49 грн
3+
39.73 грн
10+
37.10 грн
25+
25.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-12А(1479010)
Опір в стані провідності
33мОм(1441270)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
31Вт(1741805)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-40А(1810549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI5419DU-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860509
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
44.49 грн
3+
39.73 грн
10+
37.10 грн
25+
25.90 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-12А
Опір в стані провідності
33мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
31Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
45нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g