0 0 0
  7. SI5935CDC-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SI5935CDC-T1-GE3

 
SI5935CDC-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 952611
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
34.16 грн
10+
28.84 грн
25+
24.71 грн
50+
19.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-4А(1492238)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-10А(1788019)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори багатоканальні SI5935CDC-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 952611
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
34.16 грн
10+
28.84 грн
25+
24.71 грн
50+
19.86 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-4А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g