0 0 0
  8. SI7113DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI7113DN-T1-GE3

 
SI7113DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 951076
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.82 грн
10+
93.75 грн
16+
64.36 грн
43+
61.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2795 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-3,5А(1492400)
Опір в стані провідності
0,134Ом(1644078)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
55нКл(1632980)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,083 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7113DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 951076
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,5А; Idm: -20А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.82 грн
10+
93.75 грн
16+
64.36 грн
43+
61.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2795 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-3,5А
Опір в стані провідності
0,134Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
55нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,083 g