0 0 0
  8. SI7119DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI7119DN-T1-GE3

 
SI7119DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405857
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.18 грн
5+
54.82 грн
23+
43.94 грн
62+
41.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-1,2А(1610032)
Опір в стані провідності
1,05Ом(1441606)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-5А(1810547)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7119DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405857
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -1,2А; Idm: -5А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.18 грн
5+
54.82 грн
23+
43.94 грн
62+
41.47 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-1,2А
Опір в стані провідності
1,05Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g