0 0 0
  8. SI7153DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI7153DN-T1-GE3

 
SI7153DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 725810
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
29.95 грн
25+
26.86 грн
47+
21.29 грн
128+
20.10 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 5419 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-18А(1478982)
Опір в стані провідності
15мОм(1479025)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
52Вт(1507407)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
62нКл(1479423)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-100А(1810553)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,097 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7153DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 725810
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
29.95 грн
25+
26.86 грн
47+
21.29 грн
128+
20.10 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 5419 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-18А
Опір в стані провідності
15мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
52Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
62нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,097 g