0 0 0
  8. SI7164DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI7164DP-T1-GE3

 
SI7164DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853708
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 60А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
198.63 грн
5+
177.97 грн
8+
140.63 грн
20+
132.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
6,25мОм(1986218)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
75нКл(1479015)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI7164DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853708
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 60А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
198.63 грн
5+
177.97 грн
8+
140.63 грн
20+
132.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
6,25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
75нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g