0 0 0
  8. SI7288DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI7288DP-T1-GE3

 
SI7288DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853576
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 20А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
105.61 грн
10+
77.03 грн
17+
58.76 грн
47+
55.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2943 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
15,6Вт(1742011)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,158 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI7288DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853576
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 40В; 20А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
105.61 грн
10+
77.03 грн
17+
58.76 грн
47+
55.59 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2943 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
15,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
15нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,158 g