0 0 0
  8. SI7317DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI7317DN-T1-GE3

 
SI7317DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853375
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -2,8А; Idm: -2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
72.30 грн
10+
61.02 грн
20+
49.74 грн
55+
47.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-150В(1478961)
Струм стока
-2,8А(1610014)
Опір в стані провідності
1,3Ом(1492416)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
19,8Вт(1986220)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9,8нКл(1636385)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-2А(1709884)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7317DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853375
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -2,8А; Idm: -2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
72.30 грн
10+
61.02 грн
20+
49.74 грн
55+
47.04 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-150В
Струм стока
-2,8А
Опір в стані провідності
1,3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
19,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9,8нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g