0 0 0
  8. SI7414DN-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI7414DN-T1-GE3

 
SI7414DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853835
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 8,7А; Idm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
101.43 грн
5+
91.85 грн
12+
85.46 грн
25+
79.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
8,7А(1479183)
Опір в стані провідності
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
3,8Вт(1449546)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI7414DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853835
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 8,7А; Idm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
101.43 грн
5+
91.85 грн
12+
85.46 грн
25+
79.87 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
8,7А
Опір в стані провідності
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
3,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g