0 0 0
  8. SI7461DP-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI7461DP-T1-E3

 
SI7461DP-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 947647
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; -11,5А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
161.29 грн
10+
100.90 грн
27+
95.34 грн
1000+
93.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
-11,5А(1492312)
Опір в стані провідності
19мОм(1441301)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
3,4Вт(1741908)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,19мкКл(1950536)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-60А(1811034)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI7461DP-T1-E3
VISHAY
Артикул: 947647
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; -11,5А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
161.29 грн
10+
100.90 грн
27+
95.34 грн
1000+
93.75 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
-11,5А
Опір в стані провідності
19мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
3,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,19мкКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g