0 0 0
  8. SI7469DP-T1-E3

Транзистори з каналом P SMD SI7469DP-T1-E3

 
SI7469DP-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 853373
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -28А; Idm: -40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
169.23 грн
7+
144.60 грн
19+
136.66 грн
100+
131.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
-80В(1536865)
Струм стока
-28А(1478960)
Опір в стані провідності
29мОм(1479159)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
83Вт(1702256)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
160нКл(1479521)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-40А(1810549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7469DP-T1-E3
VISHAY
Артикул: 853373
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -28А; Idm: -40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
169.23 грн
7+
144.60 грн
19+
136.66 грн
100+
131.10 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
-80В
Струм стока
-28А
Опір в стані провідності
29мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
83Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
160нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g