Транзистори з каналом P SMD SI7615ADN-T1-GE3

 
SI7615ADN-T1-GE3
 
Артикул: 405874
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
39.57 грн
25+
34.72 грн
33+
30.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3677 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-35А(1733903)
Опір в стані провідності
4,4мОм(1479260)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
183нКл(1714108)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-80А(1789209)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,094 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7615ADN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405874
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
39.57 грн
25+
34.72 грн
33+
30.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3677 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-35А
Опір в стані провідності
4,4мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
183нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,094 g