0 0 0
  8. SI7617DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI7617DN-T1-GE3

 
SI7617DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405875
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.77 грн
10+
50.77 грн
24+
41.55 грн
66+
39.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2890 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-13,9А(1811142)
Опір в стані провідності
12,3мОм(1501024)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
33Вт(1595255)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
59нКл(1479513)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-60А(1811034)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,106 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7617DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405875
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -13,9А; Idm: -60А; 33Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
62.77 грн
10+
50.77 грн
24+
41.55 грн
66+
39.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2890 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-13,9А
Опір в стані провідності
12,3мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
59нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,106 g