0 0 0
  8. SI7619DN-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI7619DN-T1-GE3

 
SI7619DN-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860513
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -24А; Idm: -50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.63 грн
5+
46.26 грн
25+
40.52 грн
29+
34.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1212-8(1733905)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-24А(1478967)
Опір в стані провідності
34мОм(1441517)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
27,8Вт(1741938)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-50А(1810523)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI7619DN-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860513
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -24А; Idm: -50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.63 грн
5+
46.26 грн
25+
40.52 грн
29+
34.61 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-24А
Опір в стані провідності
34мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
27,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
50нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g