0 0 0
  8. SI9407BDY-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SI9407BDY-T1-GE3

 
SI9407BDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140934
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
74.69 грн
5+
40.84 грн
25+
35.75 грн
30+
32.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3836 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-2,6А(1492370)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,166 g
 
Транзистори з каналом P SMD SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140934
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,6А; 5Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
74.69 грн
5+
40.84 грн
25+
35.75 грн
30+
32.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3836 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-2,6А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
22нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,166 g