0 0 0
  8. SI9407BDY-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI9407BDY-T1-GE3

 
SI9407BDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860507
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -4,7А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
43.06 грн
25+
38.77 грн
34+
29.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2466 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-4,7А(1492317)
Опір в стані провідності
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
5Вт(1520960)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
22нКл(1479158)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-20А(1741687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,12 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860507
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -4,7А; Idm: -20А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.95 грн
5+
43.06 грн
25+
38.77 грн
34+
29.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2466 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-4,7А
Опір в стані провідності
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
22нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,12 g