0 0 0
  8. SI9926CDY-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI9926CDY-T1-GE3

 
SI9926CDY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947611
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
72.68 грн
10+
60.86 грн
37+
27.31 грн
101+
25.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
33нКл(1479084)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI9926CDY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947611
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
72.68 грн
10+
60.86 грн
37+
27.31 грн
101+
25.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
33нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g