0 0 0
  8. SIA414DJ-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIA414DJ-T1-GE3

 
SIA414DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847012
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 8В; 12А; Idm: 40А; 19Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
38.10 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
8В(1492566)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
41мОм(1479050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
19Вт(1623857)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
32нКл(1479130)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIA414DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847012
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 8В; 12А; Idm: 40А; 19Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
38.10 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
8В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
41мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
19Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
32нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g