0 0 0
  8. SIA4263DJ-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIA4263DJ-T1-GE3

 
SIA4263DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842625
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
17.88 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-12А(1479010)
Опір в стані провідності
51,1мОм(1986052)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
15,6Вт(1742011)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
52,2нКл(1986053)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-32А(1741684)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIA4263DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842625
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -32А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
17.88 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-12А
Опір в стані провідності
51,1мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
15,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
52,2нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g