0 0 0
  8. SIA430DJT-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIA430DJT-T1-GE3

 
SIA430DJT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846993
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 12А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
18.85 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
18,5мОм(1829667)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
19,2Вт(1742122)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
40А(1748037)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIA430DJT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846993
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 12А; Idm: 40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
18.85 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
18,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
19,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g