0 0 0
  8. SIA456DJ-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIA456DJ-T1-GE3

 
SIA456DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947616
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.91 грн
10+
54.24 грн
25+
49.39 грн
26+
38.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SC70(1737249)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
2,6А(1479113)
Опір в стані провідності
1,38Ом(1638695)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
12Вт(1507420)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
14,5нКл(1609913)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2А(1709875)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIA456DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947616
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 2,6А; Idm: 2А; 12Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.91 грн
10+
54.24 грн
25+
49.39 грн
26+
38.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SC70
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
2,6А
Опір в стані провідності
1,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
12Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
14,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g