0 0 0
  8. SIA466EDJ-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIA466EDJ-T1-GE3

 
SIA466EDJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846961
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 25А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
26.44 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
25А(1441383)
Опір в стані провідності
13мОм(1479176)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
19,2Вт(1742122)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIA466EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846961
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 25А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
26.44 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
25А
Опір в стані провідності
13мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
19,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
20нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g