0 0 0
  8. SIA483ADJ-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIA483ADJ-T1-GE3

 
SIA483ADJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842610
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
13.19 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-12А(1479010)
Опір в стані провідності
33мОм(1441270)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
17,9Вт(1449539)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
26нКл(1479074)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
-60А(1811034)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIA483ADJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842610
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
13.19 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-12А
Опір в стані провідності
33мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
17,9Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
26нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g