0 0 0
  8. SIA485DJ-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIA485DJ-T1-GE3

 
SIA485DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842634
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -1,6А; Idm: -2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
20.42 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-150В(1478961)
Струм стока
-1,6А(1492339)
Опір в стані провідності
2,7Ом(1441572)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
15,6Вт(1742011)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
6,3нКл(1632982)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-2А(1709884)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIA485DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842634
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -1,6А; Idm: -2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
20.42 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-150В
Струм стока
-1,6А
Опір в стані провідності
2,7Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
15,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
6,3нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g