0 0 0
  7. SIA537EDJ-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SIA537EDJ-T1-GE3

 
SIA537EDJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842751
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-20В; 4,5/-4,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
20.42 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
12/-20В(1996979)
Струм стока
4,5/-4,5А(1996954)
Опір в стані провідності
165/104мОм(1986197)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
7,8Вт(1449553)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25/16нКл(1986198)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SIA537EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842751
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12/-20В; 4,5/-4,5А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
20.42 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
12/-20В
Струм стока
4,5/-4,5А
Опір в стані провідності
165/104мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
7,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25/16нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g