0 0 0
  8. SIA817EDJ-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIA817EDJ-T1-GE3

 
SIA817EDJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842623
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; -30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
15.25 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-4,5А(1643117)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky(1667411)
Потужність розсіювання
6,5Вт(1449367)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-15А(1741670)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIA817EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842623
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; -30В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
15.25 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-4,5А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky
Потужність розсіювання
6,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g