0 0 0
  8. SIA918EDJ-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIA918EDJ-T1-GE3

 
SIA918EDJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847000
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 15А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
16.89 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
4,5А(1441265)
Опір в стані провідності
77мОм(1643345)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
7,8Вт(1449553)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
9,5нКл(1479097)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
15А(1741672)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIA918EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847000
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 15А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
16.89 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
4,5А
Опір в стані провідності
77мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
7,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
9,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g