0 0 0
  7. SIA923EDJ-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SIA923EDJ-T1-GE3

 
SIA923EDJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842748
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4,5А; 7,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
24.77 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-4,5А(1643117)
Опір в стані провідності
0,165Ом(1743044)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
7,8Вт(1449553)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
25нКл(1479056)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-15А(1741670)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SIA923EDJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842748
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -4,5А; 7,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
24.77 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-4,5А
Опір в стані провідності
0,165Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
7,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
25нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-15А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g