0 0 0
  7. SIA938DJT-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SIA938DJT-T1-GE3

 
SIA938DJT-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842737
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
20.34 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
4,5А(1441265)
Опір в стані провідності
48мОм(1441527)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
7,8Вт(1449553)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11,5нКл(1609894)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SIA938DJT-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842737
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
20.34 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
4,5А
Опір в стані провідності
48мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
7,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g