0 0 0
  8. SIAA00DJ-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIAA00DJ-T1-GE3

 
SIAA00DJ-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846981
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 40А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
28.35 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
7,5мОм(1441297)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
19,2Вт(1742122)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
24нКл(1479143)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIAA00DJ-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846981
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 40А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
28.35 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
7,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
19,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
24нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g