0 0 0
  8. SIB422EDK-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIB422EDK-T1-GE3

 
SIB422EDK-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846866
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 9А; Idm: 25А; 13Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
18.76 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
9А(1441543)
Опір в стані провідності
82мОм(1479274)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
13Вт(1740776)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
18нКл(1479041)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
25А(1742151)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIB422EDK-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846866
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 9А; Idm: 25А; 13Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
18.76 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
9А
Опір в стані провідності
82мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
13Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
18нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
25А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g