0 0 0
  8. SIB441EDK-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIB441EDK-T1-GE3

 
SIB441EDK-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842629
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -9А; Idm: -40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
15.09 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-9А(1479033)
Опір в стані провідності
0,115Ом(1738138)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
13Вт(1740776)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
33нКл(1479084)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-40А(1810549)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIB441EDK-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842629
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -9А; Idm: -40А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
15.09 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-9А
Опір в стані провідності
0,115Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
13Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
33нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-40А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g