0 0 0
  8. SIB452DK-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIB452DK-T1-GE3

 
SIB452DK-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 1169018
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.82 грн
10+
46.80 грн
43+
23.44 грн
116+
22.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
190В(1492558)
Струм стока
0,53А(1643338)
Опір в стані провідності
6Ом(1441534)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
13Вт(1740776)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
6,5нКл(1619508)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 80,9 mg
 
Транзистори з каналом N SMD SIB452DK-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 1169018
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.82 грн
10+
46.80 грн
43+
23.44 грн
116+
22.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
190В
Струм стока
0,53А
Опір в стані провідності
6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
13Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
6,5нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 80,9 mg