0 0 0
  8. SIB456DK-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIB456DK-T1-GE3

 
SIB456DK-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847033
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 6,3А; Idm: 7А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
14.53 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
6,3А(1479155)
Опір в стані провідності
0,31Ом(1743026)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
13Вт(1740776)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
5нКл(1609811)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
7А(1908856)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIB456DK-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847033
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 6,3А; Idm: 7А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
14.53 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
6,3А
Опір в стані провідності
0,31Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
13Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
7А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g