0 0 0
  8. SIB457EDK-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIB457EDK-T1-GE3

 
SIB457EDK-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947639
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
39.13 грн
10+
33.46 грн
25+
27.79 грн
50+
20.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SC75(1811168)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-6,8А(1479039)
Опір в стані провідності
35мОм(1441501)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
8,4Вт(1449370)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
44нКл(1479001)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-25А(1810550)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIB457EDK-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947639
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
39.13 грн
10+
33.46 грн
25+
27.79 грн
50+
20.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SC75
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-6,8А
Опір в стані провідності
35мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
8,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
44нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-25А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g