0 0 0
  8. SIDR392DP-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIDR392DP-T1-GE3

 
SIDR392DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847058
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
127.92 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
930мкОм(1960067)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
188нКл(1711211)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIDR392DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847058
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
127.92 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
930мкОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
188нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g