0 0 0
  8. SIDR608DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIDR608DP-T1-RE3

 
SIDR608DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847053
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 45В; 208А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
116.00 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
45В(1441651)
Струм стока
208А(1479570)
Опір в стані провідності
1,8мОм(1479613)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
167нКл(1750618)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
400А(1714521)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIDR608DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847053
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 45В; 208А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
116.00 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
45В
Струм стока
208А
Опір в стані провідності
1,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
167нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
400А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g