0 0 0
  8. SIDR610DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIDR610DP-T1-RE3

 
SIDR610DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847074
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 39,6А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
124.74 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
39,6А(1986234)
Опір в стані провідності
33,4мОм(1986235)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIDR610DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847074
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 39,6А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
124.74 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
39,6А
Опір в стані провідності
33,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
38нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g