0 0 0
  8. SIDR626DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIDR626DP-T1-RE3

 
SIDR626DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846858
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 100А; Idm: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
156.56 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
2,6мОм(1479581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
102нКл(1700731)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
200А(1741656)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIDR626DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846858
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 100А; Idm: 200А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
156.56 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
102нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
200А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g