0 0 0
  8. SIDR638DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIDR638DP-T1-RE3

 
SIDR638DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846893
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 100А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
130.33 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
1,16мОм(1512602)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
204нКл(1739106)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
400А(1714521)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIDR638DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846893
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 100А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
130.33 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
1,16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
204нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
400А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g