0 0 0
  8. SIDR870ADP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIDR870ADP-T1-GE3

 
SIDR870ADP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846959
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 95А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
96.73 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
95А(1479477)
Опір в стані провідності
10,5мОм(1441291)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
80нКл(1479275)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIDR870ADP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846959
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 95А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
96.73 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
95А
Опір в стані провідності
10,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
80нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g