0 0 0
  8. SIE812DF-T1-E3

Транзистори з каналом N SMD SIE812DF-T1-E3

 
SIE812DF-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 846995
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
154.14 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
3,4мОм(1599145)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
170нКл(1479526)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIE812DF-T1-E3
VISHAY
Артикул: 846995
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 60А; Idm: 100А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
154.14 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
3,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
170нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g