0 0 0
  8. SIE822DF-T1-E3

Транзистори з каналом N SMD SIE822DF-T1-E3

 
SIE822DF-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 846929
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 50А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
148.61 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
5,5мОм(1441296)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
78нКл(1609951)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIE822DF-T1-E3
VISHAY
Артикул: 846929
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 50А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
148.61 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
5,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
78нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g