0 0 0
  8. SIHB053N60E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB053N60E-GE3

 
SIHB053N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846952
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
485.59 грн
3+
362.59 грн
8+
343.42 грн
1000+
329.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
47А(1479369)
Опір в стані провідності
54мОм(1479355)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
278Вт(1741771)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
92нКл(1479457)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
128А(1823202)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB053N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 846952
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 128А; 278Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
485.59 грн
3+
362.59 грн
8+
343.42 грн
1000+
329.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
47А
Опір в стані провідності
54мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
278Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
92нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
128А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,5 g