0 0 0
  8. SIHB065N60E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHB065N60E-GE3

 
SIHB065N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778532
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
577.62 грн
3+
415.54 грн
7+
392.50 грн
500+
384.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
25А(1441383)
Опір в стані провідності
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
74нКл(1479341)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
116А(1799528)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHB065N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778532
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; Idm: 116А; 250Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
577.62 грн
3+
415.54 грн
7+
392.50 грн
500+
384.55 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
25А
Опір в стані провідності
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
74нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
116А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g