0 0 0
  8. SIHB100N60E-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHB100N60E-GE3

 
SIHB100N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778539
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
387.02 грн
4+
278.94 грн
10+
263.84 грн
500+
258.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
19А(1479258)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
208Вт(1741773)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
73А(1936742)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHB100N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 778539
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 73А; 208Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
387.02 грн
4+
278.94 грн
10+
263.84 грн
500+
258.28 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
19А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
208Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
50нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
73А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g